SSF4N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF4N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSF4N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF4N60D даташит

 ..1. Size:518K  silikron
 ssf4n60d.pdf pdf_icon

SSF4N60D

SSF4N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 2.0 (typ.) ID 4A TO-252 Marking and p in S che ma ti c di ag ra m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:510K  silikron
 ssf4n60g.pdf pdf_icon

SSF4N60D

SSF4N60G Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 1.85 (typ.) ID 4A TO-251 Marking and p in S che ma ti c di ag ra m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.2. Size:524K  silikron
 ssf4n60f.pdf pdf_icon

SSF4N60D

SSF4N60F Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 1.9 (typ.) ID 4A Marking and p in TO-220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.3. Size:649K  silikron
 ssf4n60.pdf pdf_icon

SSF4N60D

SSF4N60 Features Vdss = 600V Extremely high dv/dt capability Id = 4A Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Rdson = 2.3 (typ.) 100% avalanche tested Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very good manufacturing repeatability Description The SSF4N60 is a new generation of high voltage N Channel enhancement mode

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF4606, SSF4607D, SSF4624, SSF4703, SSF4703DC, SSF47NS60H, SSF4953, SSF4N60, 8205A, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, SSF53A0E, SSF5506, SSF5508A, SSF5508U, SSF5N50D