Справочник MOSFET. SSF6014

 

SSF6014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF6014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSF6014

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  silikron
ssf6014.pdfpdf_icon

SSF6014

SSF6014 Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=14mmax. Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF6014 is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and elect

 0.1. Size:259K  silikron
ssf6014j7.pdfpdf_icon

SSF6014

SSF6014J7Main Product Characteristics: VDSS 60V RDS(on) 11m (typ.) ID 40APQFN 5x6Pin AssignmentSchematic DiagramFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 ope

 0.2. Size:688K  silikron
ssf6014d.pdfpdf_icon

SSF6014

SSF6014D Main Product Characteristics: VDSS 60V RDS(on) 12m(typ.) ID 60A DPAK Ma rk in g an d pi n Sc h ema t ic diag r am Assignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

 0.3. Size:481K  silikron
ssf6014a.pdfpdf_icon

SSF6014

SSF6014A Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=14mmax. Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF6014A is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and ele

Другие MOSFET... SSS1206H , SSS1510 , SSF11NS65UF , SSF6005 , SSF6007 , SSF6008 , SSF6010 , SSF6010A , 10N65 , SSF6014A , SSF6014D , SSF6014J7 , SSF6014J8 , SSF6025 , SSF6072G5 , SSF6092G1 , SSF6114 .

History: IXFT40N50Q | TK8A25DA

 

 
Back to Top

 


 
.