SSF6014J8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6014J8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для SSF6014J8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6014J8 даташит

 ..1. Size:807K  silikron
 ssf6014j8.pdf pdf_icon

SSF6014J8

SSF6014J8 Main Product Characteristics V 60V DSS R (on) 16m (typ.) DS I 22A D PinAssignment Schematic diagram DFN3.3x3.3 Bottom view Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 6.1. Size:259K  silikron
 ssf6014j7.pdf pdf_icon

SSF6014J8

SSF6014J7 Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 11m (typ.) ID 40A PQFN 5x6 Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 ope

 7.1. Size:688K  silikron
 ssf6014d.pdf pdf_icon

SSF6014J8

SSF6014D Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 12m (typ.) ID 60A DPAK Ma rk in g an d pi n Sc h ema t ic diag r am Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

 7.2. Size:481K  silikron
 ssf6014a.pdf pdf_icon

SSF6014J8

SSF6014A Feathers ID =60A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=14m max. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF6014A is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and ele

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF6007, SSF6008, SSF6010, SSF6010A, SSF6014, SSF6014A, SSF6014D, SSF6014J7, 10N65, SSF6025, SSF6072G5, SSF6092G1, SSF6114, SSF6401, SSF6646, SSF6670, SSF6808