SSF6114. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6114

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSF6114

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6114 даташит

 ..1. Size:1130K  silikron
 ssf6114.pdf pdf_icon

SSF6114

SSF6114 Main Product Characteristics VDSS 60V SSFT3904U SSFT3904U SSF6114 RDS(on) 10mohm(typ.) ID 60A Ma r ki ng a n d pin Schema ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fa

Другие IGBT... SSF6014, SSF6014A, SSF6014D, SSF6014J7, SSF6014J8, SSF6025, SSF6072G5, SSF6092G1, AO3407, SSF6401, SSF6646, SSF6670, SSF6808, SSF6808A, SSF6808D, SSF6814, SSF6816