Справочник MOSFET. SSF6114

 

SSF6114 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF6114
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSF6114

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6114 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1130K  silikron
 ssf6114.pdf pdf_icon

SSF6114

SSF6114 Main Product Characteristics: VDSS 60V SSFT3904USSFT3904USSF6114 RDS(on) 10mohm(typ.) ID 60A Ma r ki ng a n d pin Schema ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fa

Другие MOSFET... SSF6014 , SSF6014A , SSF6014D , SSF6014J7 , SSF6014J8 , SSF6025 , SSF6072G5 , SSF6092G1 , 7N60 , SSF6401 , SSF6646 , SSF6670 , SSF6808 , SSF6808A , SSF6808D , SSF6814 , SSF6816 .

History: IRFS7787 | NCE2008E | 9N90B | KIA2808A-220 | SWF7N65D | SI7137DP | IRF5305STR

 

 
Back to Top

 


 
.