SSF6114 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSF6114
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SSF6114
SSF6114 Datasheet (PDF)
ssf6114.pdf

SSF6114 Main Product Characteristics: VDSS 60V SSFT3904USSFT3904USSF6114 RDS(on) 10mohm(typ.) ID 60A Ma r ki ng a n d pin Schema ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fa
Другие MOSFET... SSF6014 , SSF6014A , SSF6014D , SSF6014J7 , SSF6014J8 , SSF6025 , SSF6072G5 , SSF6092G1 , 4N60 , SSF6401 , SSF6646 , SSF6670 , SSF6808 , SSF6808A , SSF6808D , SSF6814 , SSF6816 .
History: JMSL0406AGQ | 2SK1494-Z | HM2310B | BSP75G | FDB5690 | 2SK1399 | FDN8601
History: JMSL0406AGQ | 2SK1494-Z | HM2310B | BSP75G | FDB5690 | 2SK1399 | FDN8601



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet