SSF6NS70D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6NS70D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSF6NS70D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6NS70D даташит

 6.1. Size:407K  silikron
 ssf6ns70ugx.pdf pdf_icon

SSF6NS70D

SSF6NS70UGX Main Product Characteristics VDSS 700V RDS(on) 1.08 (typ.) ID 6A IPAK-NX Marking and Pi n Schematic Diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF6NS70UGX series MOSFETs is a new technology, whi

 6.2. Size:457K  silikron
 ssf6ns70ug.pdf pdf_icon

SSF6NS70D

SSF6NS70UG Main Product Characteristics VDSS 700V RDS(on) 0.95 (typ.) ID 6A TO-251 (IPAK) Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF6NS70UG series MOSFETs is a new technology,

 6.3. Size:465K  silikron
 ssf6ns70ud.pdf pdf_icon

SSF6NS70D

SSF6NS70UD Main Product Characteristics VDSS 700V RDS(on) 0.95 (typ.) ID 6A TO-252 (DPAK) Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF6NS70UD series MOSFETs is a new technology,

 6.4. Size:450K  silikron
 ssf6ns70ugs.pdf pdf_icon

SSF6NS70D

SSF6NS70UGS Main Product Characteristics VDSS 700V RDS(on) 1.1 (typ.) ID 6A TO-251S Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF6NS70UGS series MOSFETs is a new technology, whic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF6N60G, SSF6N70G, SSF6N70GM, SSF6N80A6, SSF6N80F, SSF6N80G, SSF6NS65UF, SSF6NS70G, IRLB3034, SSF6NS70F, SSF6NS70UD, SSF6NS70UG, SSF6NS70UGS, SSF6NS70UGX, SSF7504, SSF7504A, SSF7504A7