SSF7504A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF7504A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для SSF7504A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF7504A даташит

 ..1. Size:396K  silikron
 ssf7504a.pdf pdf_icon

SSF7504A

SSF7504A Feathers ID=220A Advanced trench process technology BV=75V Special designed for Convertors and power controls Rdson=2.7m (typ.) High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized Avalanche voltage and current Avalanche Energy 100% test Description The SSF7504A is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancem

 0.1. Size:470K  silikron
 ssf7504a7.pdf pdf_icon

SSF7504A

SSF7504A7 Main Product Characteristics VDSS 75V 1, Gate RDS(on) 2.5m (typ.) 2 3,5 7 Source 4,8 Drain ID 220A Schematic Diagram TO-263-7L Pin Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching

 7.1. Size:426K  silikron
 ssf7504.pdf pdf_icon

SSF7504A

SSF7504 Feathers ID=220A Advanced trench process technology BV=75V Special designed for Convertors and power controls Rdson=2.7m (typ.) High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized Avalanche voltage and current Avalanche Energy 100% test Description The SSF7504 is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancemen

 7.2. Size:568K  silikron
 ssf7504h.pdf pdf_icon

SSF7504A

SSF7504H Main Product Characteristics VDSS 75V RDS(on) 3.9m (typ.) ID 220A Marking and p in TO- 247 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recover

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF6NS70G, SSF6NS70D, SSF6NS70F, SSF6NS70UD, SSF6NS70UG, SSF6NS70UGS, SSF6NS70UGX, SSF7504, MMIS60R580P, SSF7504A7, SSF7504H, SSF7505, SSF7507, SSF7508, SSF7508A, SSF7509A, SSF7509B