2N7060 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7060  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO218

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7060

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7060 даташит

 9.1. Size:281K  rca
 2n706-a.pdf pdf_icon

2N7060

Другие IGBT... 2N7013, 2N7014, 2N7016, 2N7022, 2N7054, 2N7055, 2N7057, 2N7058, AON7408, 2N7061, 2N7063, 2N7064, 2N7066, 2N7071, 2N7072, 2N7073, 2N7074