Справочник MOSFET. SSF7509B

 

SSF7509B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF7509B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSF7509B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF7509B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  silikron
 ssf7509b.pdf pdf_icon

SSF7509B

SSF7509B Main Product Characteristics: VDSS 70V RDS(on) 5.3m(typ.) ID 100A Marking and Pi n TO-220 Schematic Diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:396K  silikron
 ssf7509a.pdf pdf_icon

SSF7509B

SSF7509AMain Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 6.5mohm(typ.)ID 80AMarking and pin D2PAKSchematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

 7.2. Size:300K  silikron
 ssf7509j7.pdf pdf_icon

SSF7509B

SSF7509J7Main Product Characteristics: VDSS 80V RDS(on) 7.5mohm(typ.)ID 70AMarking and pin PQFN5*6Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.3. Size:392K  silikron
 ssf7509.pdf pdf_icon

SSF7509B

SSF7509 Feathers: ID=80A Advanced trench process technology BV=80V Special designed for Convertors and power controls Rdson=6.5m(Typ.) High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized Avalanche voltage and current Avalanche Energy 100% test Description: The SSF7509 is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSF7504A , SSF7504A7 , SSF7504H , SSF7505 , SSF7507 , SSF7508 , SSF7508A , SSF7509A , IRF3205 , SSF7509J7 , SSF7510 , SSF7604 , SSF7607 , SSF7609 , SSF7610 , SSF7N60 , SSF7N60F .

 

 
Back to Top

 


 
.