Справочник MOSFET. SSF7NS60F

 

SSF7NS60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF7NS60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SSF7NS60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF7NS60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  silikron
ssf7ns60f.pdfpdf_icon

SSF7NS60F

SSF7NS60F Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.54(typ.) ID 7A Marking a nd p in Schematic diagram TO220F Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF7NS60F series MOSFETs is a new techno

 6.1. Size:544K  silikron
ssf7ns60d.pdfpdf_icon

SSF7NS60F

SSF7NS60D Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.56 (typ.) ID 7A TO-252 Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF7NS60D series MOSFETs is a new t

 7.1. Size:497K  silikron
ssf7ns65g.pdfpdf_icon

SSF7NS60F

SSF7NS65G Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.58 (typ.) ID 7A TO-251 Mark in g a nd pin Sch ema tic diag r a m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF7NS65G series MOSFETs is a new t

 7.2. Size:449K  silikron
ssf7ns65uf.pdfpdf_icon

SSF7NS60F

SSF7NS65UF Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.6 (typ.) ID 7A TO-220F Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF7NS65UF series MOSFETs is a new technology, which

Другие MOSFET... SSF7604 , SSF7607 , SSF7609 , SSF7610 , SSF7N60 , SSF7N60F , SSF7N65F , SSF7NS60D , IRFP260N , SSF7NS65G , SSF7NS65UD , SSF7NS65UF , SSF7NS65UG , SSF7NS70UG , SSF7NS70UGX , SSPL7508 , SSPL7509 .

History: NCE20ND15Q | WMO60N02T1 | WMJ12N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.