SSF7NS65UF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF7NS65UF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSF7NS65UF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF7NS65UF даташит

 ..1. Size:449K  silikron
 ssf7ns65uf.pdf pdf_icon

SSF7NS65UF

SSF7NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.6 (typ.) ID 7A TO-220F Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF7NS65UF series MOSFETs is a new technology, which

 5.1. Size:485K  silikron
 ssf7ns65ud.pdf pdf_icon

SSF7NS65UF

SSF7NS65UD Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.65 (typ.) ID 7A TO-252 (DPAK) Marking and Pin Schematic Diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF7NS65UD series MOSFETs is a new technology, whi

 5.2. Size:467K  silikron
 ssf7ns65ug.pdf pdf_icon

SSF7NS65UF

SSF7NS65UG Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.65 (typ.) ID 7A TO-251 (IPAK) Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF7NS65UG series MOSFETs is a new technology,

 6.1. Size:497K  silikron
 ssf7ns65g.pdf pdf_icon

SSF7NS65UF

SSF7NS65G Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.58 (typ.) ID 7A TO-251 Mark in g a nd pin Sch ema tic diag r a m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF7NS65G series MOSFETs is a new t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF7610, SSF7N60, SSF7N60F, SSF7N65F, SSF7NS60D, SSF7NS60F, SSF7NS65G, SSF7NS65UD, IRFP260N, SSF7NS65UG, SSF7NS70UG, SSF7NS70UGX, SSPL7508, SSPL7509, SSPL7510, SSPL6005, SSPL6022