SSPL7508 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSPL7508
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 99 nC
Время нарастания (tr): 96.1 ns
Выходная емкость (Cd): 1037 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
SSPL7508 Datasheet (PDF)
sspl7508.pdf
SSPL7508 Main Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 6.25mohm(typ.) ID 120A Mar ki ng a nd p in Sc hemat ic d ia gr am TO220 Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove
sspl7509.pdf
SSPL7509 Main Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 7.2mohm(typ.) ID 75A Mar ki ng a nd p in TO220 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
sspl7510.pdf
SSPL7510 Main Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 9.5m(typ.) ID 75A Mar ki ng a nd p in TO220 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
