SSF8205A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF8205A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для SSF8205A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8205A даташит

 ..1. Size:450K  silikron
 ssf8205a.pdf pdf_icon

SSF8205A

SSF8205A DESCRIPTION D1 D2 The SSF8205A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation DS(ON) with gate voltages as low as 0.65V. This device is G1 G2 suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2 Schematic diagram GENERAL FEATURES V = 20V,I = 6A DS D R

 7.1. Size:599K  silikron
 ssf8205u.pdf pdf_icon

SSF8205A

SSF8205U Main Product Characteristics D1 D2 VDSS 18V G1 G2 S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.) ID 4.5A Marking and pin SOT23-6 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switc

 7.2. Size:612K  silikron
 ssf8205uh2.pdf pdf_icon

SSF8205A

SSF8205UH2 Main Product Characteristics D1 D2 VDSS 18V G1 G2 S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.) ID 4.5A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge Fast swit

 7.3. Size:683K  silikron
 ssf8205.pdf pdf_icon

SSF8205A

SSF8205 Main Product Characteristics D1 D2 VDSS 20V G1 G2 S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.) ID 4A Marking and pin SOT23-6 Sc he mati c di a gram A s si gnment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSPL7509, SSPL7510, SSPL6005, SSPL6022, SSPL6040, SSPL6040D, SSF80100, SSF8205, IRF9540, SSF8205U, SSF8205UH2, SSF8421, SSF8509, SSF8521, SSF8810, SSF8822, SSF8N60