SSF8205U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSF8205U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
SSF8205U Datasheet (PDF)
ssf8205u.pdf
SSF8205UMain Product Characteristics: D1D2VDSS 18V G1 G2S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.)ID 4.5A Marking and pin SOT23-6Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switc
ssf8205uh2.pdf
SSF8205UH2Main Product Characteristics: D1D2VDSS 18V G1 G2S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.)ID 4.5A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge Fast swit
ssf8205a.pdf
SSF8205A DESCRIPTION D1D2The SSF8205A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation DS(ON)with gate voltages as low as 0.65V. This device is G1 G2suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES V = 20V,I = 6A DS DR
ssf8205.pdf
SSF8205 Main Product Characteristics: D1D2VDSS 20V G1 G2S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.) ID 4A Marking and pin SOT23-6 Sc he mati c di a gram A s si gnment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge F
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918