Справочник MOSFET. SSF8N80

 

SSF8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSF8N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  silikron
ssf8n80.pdfpdf_icon

SSF8N80

SSF8N80 Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.38(typ.) ID 8A TO-220 Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recover

 0.1. Size:938K  samsung
ssf8n80a.pdfpdf_icon

SSF8N80

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 0.2. Size:562K  silikron
ssf8n80zh.pdfpdf_icon

SSF8N80

SSF8N80ZFMain Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.1 (typ.) ID 8ATO-220FMarking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 0.3. Size:526K  silikron
ssf8n80f.pdfpdf_icon

SSF8N80

SSF8N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.3 (typ.) ID 8A TO-220F Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

Другие MOSFET... SSF8205UH2 , SSF8421 , SSF8509 , SSF8521 , SSF8810 , SSF8822 , SSF8N60 , SSF8N65 , 8205A , SSF8N80F , SSF8N80ZH , SSF8NP60U , SSF9435 , SSF9926 , SSF9N90ZH , SSFK3204 , SSFK3208 .

History: IPI60R520CP | WMM180N03TS

 

 
Back to Top

 


 
.