IRC531-007 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRC531-007
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRC531-007 Datasheet (PDF)
irc530pbf.pdf

PD-96001BIRC530PbF Lead-Freewww.irf.com 12/10/05IRC530PbF2 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 3IRC530PbF4 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 5IRC530PbF6 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 7IRC530PbF8 www.irf.comIRC530PbFHexsenseTO-220 5L Package Outline ( Dimensions are shown in millimeters (inches)Hexsense TO-220 5L Part Marking InformationEXAMPL
Другие MOSFET... IRC450 , IRC520 , IRC530 , IRC530-007 , IRC530-008 , IRC5305 , IRC530A , IRC531 , CEP83A3 , IRC531-008 , IRC533 , IRC533A , IRC5405 , IRC620 , IRC624 , IRC6305 , IRC6345 .
History: BLA1011S-200 | NCEP026N10F | KI2301 | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N
History: BLA1011S-200 | NCEP026N10F | KI2301 | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor