SSF9926. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF9926

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SSF9926

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF9926 даташит

 ..1. Size:365K  silikron
 ssf9926.pdf pdf_icon

SSF9926

SSF9926 DESCRIPTION The SSF9926 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID =6A R

Другие IGBT... SSF8822, SSF8N60, SSF8N65, SSF8N80, SSF8N80F, SSF8N80ZH, SSF8NP60U, SSF9435, 13N50, SSF9N90ZH, SSFK3204, SSFK3208, SSFD3004, SSFD3005, SSFD3006, SSFD4004, SSFD4024