SSFK3208. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFK3208

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: GEMPAK5060

Аналог (замена) для SSFK3208

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFK3208 даташит

 ..1. Size:277K  silikron
 ssfk3208.pdf pdf_icon

SSFK3208

SSFK3208 D DESCRIPTION The SSFK3208 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =11A RDS(ON)

 7.1. Size:286K  silikron
 ssfk3204.pdf pdf_icon

SSFK3208

SSFK3204 D DESCRIPTION The SSFK3204 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =15A RDS(ON)

Другие IGBT... SSF8N80, SSF8N80F, SSF8N80ZH, SSF8NP60U, SSF9435, SSF9926, SSF9N90ZH, SSFK3204, 5N65, SSFD3004, SSFD3005, SSFD3006, SSFD4004, SSFD4024, SSFD6035, SSFD6046, SSFM1022