Справочник MOSFET. SSFM1022

 

SSFM1022 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSFM1022
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 249 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFM1022 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  silikron
ssfm1022.pdfpdf_icon

SSFM1022

SSFM1022Main Product Characteristics: VDSS 100V SSFT3906SSFT3906SSFM1022SSFM1022RDS(on) 19mohmID 40A Marking and pin Schematic diagramFeatures and Benefits: TO220Assignment Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching a

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SVF7N60CT | 3N203A | HAT2064RJ | BRCS200P012MF | SSM9567GM | 2SK1133 | CED6086

 

 
Back to Top

 


 
.