Справочник MOSFET. MMBT7002E

 

MMBT7002E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMBT7002E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMBT7002E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  semtech
mmbt7002e.pdfpdf_icon

MMBT7002E

MMBT7002E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor DrainGate1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-523 Plastic Package SourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain Source Voltage VDSS 60 VDrain Gate Voltage (RGS 1 M) VDGR 60 VContinuous 20 V Gate Source Voltage VGSS Pulsed 40 Continuous 115 mA Drain Current ID

 6.1. Size:701K  semtech
mmbt7002kw.pdfpdf_icon

MMBT7002E

MMBT7002KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor DrainFeatures Low on resistance RDS(ON) Low gate threshold voltage Gate Low input capacitance ESD protected up to 2KV 1.Gate 2.Source 3.DrainSourceSOT-323 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 60 VGate-Source Voltage VGSS

 6.2. Size:176K  semtech
mmbt7002k.pdfpdf_icon

MMBT7002E

MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor DrainFeatures Low on resistance RDS(ON) Low gate threshold voltage Gate Low input capacitance ESD protected up to 2KV 1.Gate 2.Source 3.DrainSourceTO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 60 VGate-Source Voltage VGSS

 6.3. Size:463K  semtech
mmbt7002w.pdfpdf_icon

MMBT7002E

MMBT7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-323 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain Source Voltage VDSS 60 VDrain Gate Voltage (RGS 1 M) VDGR 60 VContinuous 20 V Gate Source Voltage VGSS Pulsed 40 Continuous 115 mA Drain Current ID Pulsed 800 Total Powe

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.