MMBT7002E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MMBT7002E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
Тип корпуса: SOT523
MMBT7002E Datasheet (PDF)
mmbt7002e.pdf

MMBT7002E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor DrainGate1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-523 Plastic Package SourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain Source Voltage VDSS 60 VDrain Gate Voltage (RGS 1 M) VDGR 60 VContinuous 20 V Gate Source Voltage VGSS Pulsed 40 Continuous 115 mA Drain Current ID
mmbt7002kw.pdf

MMBT7002KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor DrainFeatures Low on resistance RDS(ON) Low gate threshold voltage Gate Low input capacitance ESD protected up to 2KV 1.Gate 2.Source 3.DrainSourceSOT-323 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 60 VGate-Source Voltage VGSS
mmbt7002k.pdf

MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor DrainFeatures Low on resistance RDS(ON) Low gate threshold voltage Gate Low input capacitance ESD protected up to 2KV 1.Gate 2.Source 3.DrainSourceTO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 60 VGate-Source Voltage VGSS
mmbt7002w.pdf

MMBT7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-323 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain Source Voltage VDSS 60 VDrain Gate Voltage (RGS 1 M) VDGR 60 VContinuous 20 V Gate Source Voltage VGSS Pulsed 40 Continuous 115 mA Drain Current ID Pulsed 800 Total Powe
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509