Справочник MOSFET. MMFTN138

 

MMFTN138 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMFTN138
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO236

 Аналог (замена) для MMFTN138

 

 

MMFTN138 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  semtech
 mmftn138.pdf

MMFTN138 MMFTN138

MMFTN138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for low voltage, low current switching applications 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGateSourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 50 VDrain-Gate Voltage (RGS 20 K) VDGR 50 VGate-Source

 0.1. Size:910K  semtech
 mmftn138w.pdf

MMFTN138 MMFTN138

MMFTN138W N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for low voltage, low current switching applications 1. Gate 2. Source 3. DrainSOT-323 Plastic Package DrainGateSourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 50 VDrain-Gate Voltage (RGS 20 K) VDGR 50 VGate-Source V

 8.1. Size:153K  semtech
 mmftn123.pdf

MMFTN138 MMFTN138

MMFTN123 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic PackageDrainGateSourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 100 VGate-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current ID 170 mAPeak Drain Current IDM 680 mATotal Power Dissipation P

 8.2. Size:114K  semtech
 mmftn170.pdf

MMFTN138

MMFTN170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Feature Voltage controlled small signal switch Drain High saturation current capability Gate1. Gate 2. Source 3. DrainSource TO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 60 VDrain-Gate Voltage (RGS 1 M) VDGR 60 VV Gate-Source

 8.3. Size:889K  cn vbsemi
 mmftn170.pdf

MMFTN138 MMFTN138

MMFTN170www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG 1

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top