Справочник MOSFET. MMFTN2302

 

MMFTN2302 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMFTN2302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO236

 Аналог (замена) для MMFTN2302

 

 

MMFTN2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  semtech
 mmftn2302.pdf

MMFTN2302 MMFTN2302

MMFTN2302 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 20 VDrain-Gate Voltage VGS 8 VDrain Current - Continuous ID 2.4 A

 6.1. Size:236K  semtech
 mmftn2306.pdf

MMFTN2302 MMFTN2302

MMFTN2306 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 30 VDrain-Gate Voltage VGS 12 VDrain Current - Continuous ID 5 A

 8.1. Size:154K  semtech
 mmftn20.pdf

MMFTN2302 MMFTN2302

MMFTN20 N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor Features High-speed switching No secondary breakdown Applications Thin and thick film circuits 1. Gate 2. Source 3. Drain General purpose fast switching applications TO-236 Plastic Package DrainGate SourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit

 8.2. Size:640K  semtech
 mmftn290e.pdf

MMFTN2302 MMFTN2302

MMFTN290E N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Drain Very fast switching ESD protected up to 2 KV Gate SourceAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 8 VDrain Current VGS = 4.5 V, TA = 25 700 1) ID mA 440 1) VGS = 4.5 V, TA = 100Peak Drain Current (tp 10 s) IDM 2.8 AS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top