Справочник MOSFET. SST211

 

SST211 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SST211
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO253

 Аналог (замена) для SST211

 

 

SST211 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  linear-systems
 sd211de sd213de sd215de sst211 sst213 sst215.pdf

SST211 SST211

SD-SST211/213/215N-CHANNEL LATERALDMOS SWITCHLinear Integrated Systems ZENER PROTECTEDProduct SummaryFeatures Benefits Applications Ultra-High Speed SwitchingtON: 1 ns High-Speed System Performance Fast Analog Switch Ultra-Low Reverse Capacitance: 0.2 pF Low Insertion Loss at High Frequencies Fast Sample-and-Holds Low Guaranteed rDS @5 V Low Trans

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top