Справочник MOSFET. FSN01N60A

 

FSN01N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSN01N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FSN01N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  inpower semi
 fsn01n60a.pdf pdf_icon

FSN01N60A

FSN01N60AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor TV Main Power600 V 7.0 1.5 A SMPS Power Supply LCD Panel PowerFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge ESD improved CapabilityGDS TO-92Ordering InformationPART NUMBER PACKAGE BRANDPackagesFSN01N60A TO-92 01N60A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.