FTP11N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FTP11N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FTP11N08
FTP11N08 Datasheet (PDF)
ftp11n08.pdf

FTP11N08N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: AutomotiveVDSS RDS(ON) (Max.) ID DC Motor Control75V 11 m 100A Class D AmplifierFeatures: RoHS CompliantD Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesGGDOrdering Information STO-220PART NUMBER PACKAGE BRANDN
ftp11n08a.pdf

FTP11N08AN-Channel MOSFETPbLead Free Package and FinishApplications: AutomotiveVDSS RDS(ON) (Max.) ID DC Motor Control75V 11 m 100A Class D AmplifierFeatures: RoHS CompliantD Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesGGDOrdering Information STO-220PART NUMBER PACKAGE BRAND
Другие MOSFET... FTP04N65 , FTA04N65 , FTP06N60C , FTA06N60C , FTP06N65 , FTA06N65 , FTP10N60C , FTA10N60C , STP80NF70 , FTP18N06 , FTP18N06N , FTP22N06B , FTU01N60C , L1N60 , L2N600 , L4N60 , L75N75 .
History: MEE15N10-G | B4N60 | IPA60R1K5CE | AP4036AGM-HF | IRFR5305TRPBF | 2SK2661
History: MEE15N10-G | B4N60 | IPA60R1K5CE | AP4036AGM-HF | IRFR5305TRPBF | 2SK2661



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c