SPB80N03S2-03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SPB80N03S2-03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 325 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2420 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SPB80N03S2-03
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SPB80N03S2-03 даташит
spi80n03s2-03 spp80n03s2-03 spb80n03s2-03.pdf
www.DataSheet4U.com SPI80N03S2-03 SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 3.1 m Enhancement mode ID 80 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) P- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated
spb80n03s2.pdf
SPI80N03S2-03 SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 3.1 m Enhancement mode ID 80 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) P- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Pa
spi80n06s-08 spp80n06s-08 spb80n06s-08.pdf
SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive
spp80n06s2-05 spb80n06s2-05.pdf
www.DataSheet4U.com SPP80N06S2-05 SPB80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 4.8 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S4245 2N0605 SPB80N06S2-05
Другие MOSFET... FTU01N60C , L1N60 , L2N600 , L4N60 , L75N75 , LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , 2SK3568 , STP80NF70 , CL616BA , P0160AI , P0165AI , P0170AI , P0260AD , P0260AI , P0260AT .
History: D4NK50Z-TO252
History: D4NK50Z-TO252
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet











