STP80NF70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STP80NF70  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STP80NF70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80NF70 даташит

 ..1. Size:440K  st
stp80nf70.pdfpdf_icon

STP80NF70

STP80NF70 N-channel 68 V, 0.0082 , 98 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF70 68 V

 6.1. Size:377K  st
stb80nf75l stp80nf75l.pdfpdf_icon

STP80NF70

STP80NF75L STB80NF75L STB80NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF75L 75 V

 6.2. Size:368K  st
stp80nf75l.pdfpdf_icon

STP80NF70

STP80NF75L STB80NF75L STB80NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF75L 75 V

 7.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80NF70

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

Другие IGBT... L1N60, L2N600, L4N60, L75N75, LIRFZ44N, SPI80N03S2-03, SPP80N03S2-03, SPB80N03S2-03, IRF2807, CL616BA, P0160AI, P0165AI, P0170AI, P0260AD, P0260AI, P0260AT, P0260ATF