P0260AT - аналоги и даташиты транзистора

 

P0260AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0260AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0260AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0260AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  unikc
 p0260at.pdf pdf_icon

P0260AT

P0260ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 4.4 @VGS = 10V 2.8ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C2.8IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC1.8IDM3.5Pulsed Drain Current1EASAvalanche Energy 5 mJ

 0.1. Size:545K  unikc
 p0260atf-s.pdf pdf_icon

P0260AT

P0260ATF / P0260ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 4.4 @VGS = 10V 2ATO-220F TO-220FS 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 A

 8.1. Size:413K  unikc
 p0260ai.pdf pdf_icon

P0260AT

P0260AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.6 @VGS = 10V600V 2ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.3AIDM7Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:418K  unikc
 p0260ad.pdf pdf_icon

P0260AT

P0260ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.6 @VGS = 10V600V 2ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C2IDContinuous Drain Current2TC= 100 C1.3AIDM7Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SPB80N03S2-03 , STP80NF70 , CL616BA , P0160AI , P0165AI , P0170AI , P0260AD , P0260AI , STF13NM60N , P0260ATF , P0260ATFS , P0260ED , P0260EI , P0260EIS , P0260ETF , P0270ATF , P0270ATFS .

History: PSMN1R6-40YLC | SSP7442N | CM4N60C | 2SK2871-01 | SLI80R500SJ | SWT22N65D | STD5407N

 

 
Back to Top

 


 
.