Справочник MOSFET. P0270ATFS

 

P0270ATFS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0270ATFS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220FS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0270ATFS Datasheet (PDF)

 6.1. Size:496K  unikc
 p0270atf-s.pdf pdf_icon

P0270ATFS

P0270ATF / P0270ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.3 @VGS = 10V700V 2ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC1IDM8Pulsed Drain Current1EAS5 m

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCEP080N12G | BUZ37 | IRC330 | R6524KNX | 2SJ569LS | AON7436 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.