P0270ATFS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0270ATFS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm

Тип корпуса: TO220FS

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P0270ATFS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0270ATFS даташит

 6.1. Size:496K  unikc
 p0270atf-s.pdf pdf_icon

P0270ATFS

P0270ATF / P0270ATFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.3 @VGS = 10V 700V 2A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 A C 1 IDM 8 Pulsed Drain Current1 EAS 5 m

Другие IGBT... P0260AT, P0260ATF, P0260ATFS, P0260ED, P0260EI, P0260EIS, P0260ETF, P0270ATF, 60N06, P0303BD, P0303BKA, P0303BV, P0320AL, P0403BD, P0403BDA, P0403BDG, P0403BT