IRC820 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRC820 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRC820
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRC820 даташит
No data!
Другие IGBT... IRC624, IRC6305, IRC6345, IRC6405, IRC6445, IRC720, IRC7305, IRC7405, 50N06, IRC830, IRC830-007, IRC830-008, IRC8305, IRC830A, IRC832, IRC832-007, IRC832-008
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IRC830-008
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent
