P0403BDG - описание и поиск аналогов

 

P0403BDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P0403BDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 846 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P0403BDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0403BDG даташит

 ..1. Size:524K  unikc
 p0403bdg.pdf pdf_icon

P0403BDG

P0403BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4m @VGS = 10V 25V 84A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 84 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 67 A IDM 200 Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:417K  unikc
 p0403bda.pdf pdf_icon

P0403BDG

P0403BDA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.6m @VGS = 10V 30V 77A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 77 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 50 A IDM 200 Pulsed Drain Current

 7.2. Size:439K  unikc
 p0403bd.pdf pdf_icon

P0403BDG

P0403BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.3m @VGS = 10V 30V 81A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 81 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 51 A IDM 200 Pulsed Drain Current

 8.1. Size:367K  unikc
 p0403bv.pdf pdf_icon

P0403BDG

P0403BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 4.5m @VGS = 10V 18A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 15 A IDM 70 Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0270ATF , P0270ATFS , P0303BD , P0303BKA , P0303BV , P0320AL , P0403BD , P0403BDA , IRF830 , P0403BT , P0403BV , P0403BVG , P0420AD , P0420AI , P0425AD , P0425AI , P7004EM .

History: 2SK1772

 

 

 

 

↑ Back to Top
.