Справочник MOSFET. P0403BVG

 

P0403BVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0403BVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P0403BVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0403BVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  unikc
 p0403bvg.pdf pdf_icon

P0403BVG

P0403BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.5m @VGS = 10V30V 18ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C18IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C15AIDM80Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:367K  unikc
 p0403bv.pdf pdf_icon

P0403BVG

P0403BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 4.5m @VGS = 10V 18ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C18IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C15AIDM70Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:417K  unikc
 p0403bda.pdf pdf_icon

P0403BVG

P0403BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.6m @VGS = 10V30V 77ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C77IDContinuous Drain Current2TC= 100 C50AIDM200Pulsed Drain Current

 8.2. Size:439K  unikc
 p0403bd.pdf pdf_icon

P0403BVG

P0403BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.3m @VGS = 10V30V 81ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C81IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C51AIDM200Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0303BKA , P0303BV , P0320AL , P0403BD , P0403BDA , P0403BDG , P0403BT , P0403BV , 8N60 , P0420AD , P0420AI , P0425AD , P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG .

History: AP75T10GP | NCEP40P65QU | P5015BD | PM516BZ

 

 
Back to Top

 


 
.