Справочник MOSFET. P7004EV

 

P7004EV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P7004EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P7004EV

 

 

P7004EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  unikc
 p7004ev.pdf

P7004EV P7004EV

P7004EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-40V 70m @VGS = -10V -4ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3.2AIDM-20Pulsed Drain Curr

 8.1. Size:673K  unikc
 p7004em.pdf

P7004EV P7004EV

P7004EMP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID70m @VGS = -10V-40V -2.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-2.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-2AIDM-20Pu

 9.1. Size:147K  vishay
 sup70040e.pdf

P7004EV P7004EV

SUP70040Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0040 at VGS = 10 V 120100 76 100 % Rg and UIS tested0.0046 at VGS = 7.5 V 120 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-220AB

 9.2. Size:238K  inchange semiconductor
 sup70040e.pdf

P7004EV P7004EV

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SUP70040EFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationPower toolsMotor drive switchBattery managementABSOLUTE MAXIMU

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top