P7004EV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P7004EV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 146 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOP8
P7004EV Datasheet (PDF)
p7004ev.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P7004EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-40V 70m @VGS = -10V -4ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3.2AIDM-20Pulsed Drain Curr
p7004em.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P7004EMP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID70m @VGS = -10V-40V -2.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-2.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-2AIDM-20Pu
sup70040e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUP70040Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0040 at VGS = 10 V 120100 76 100 % Rg and UIS tested0.0046 at VGS = 7.5 V 120 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-220AB
sup70040e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SUP70040EFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationPower toolsMotor drive switchBattery managementABSOLUTE MAXIMU
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![P7004EV](https://alltransistors.com/images/us.png)
![P7004EV](https://alltransistors.com/images/es.png)
![P7004EV](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C