Справочник MOSFET. P0460AT

 

P0460AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0460AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0460AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0460AT Datasheet (PDF)

 0.1. Size:518K  unikc
p0460atf-s.pdfpdf_icon

P0460AT

P0460ATF(S)N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 2 @VGS = 10V 4ATO-220F TO-220FS 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC2.5I

 8.1. Size:441K  unikc
p0460ad.pdfpdf_icon

P0460AT

P0460ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM20Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:437K  unikc
p0460as-t.pdfpdf_icon

P0460AT

P0460AS / P0460ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 2 @VGS = 10V 4A TO-263 TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulse

 8.3. Size:471K  unikc
p0460ai.pdfpdf_icon

P0460AT

P0460AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V600V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM20Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI , P45N03LTFG , P0460AD , P0460AI , P0460AS , IRF640N , P0460ATF , P0460BTF , P0460BTFS , P0460CTF-P , P0460ED , P0460EI , P0460EIS , P0460ETF .

History: RFP12N08 | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | AUIRF7739L2 | SIHF730 | TSF13N50M

 

 
Back to Top

 


 
.