P0460CTF-P - аналоги и даташиты транзистора

 

P0460CTF-P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0460CTF-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0460CTF-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0460CTF-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  unikc
 p0460ctf-p.pdf pdf_icon

P0460CTF-P

P0460CTF-PN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.7 @VGS = 10V600V 4A100% UIS testedTO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM15

 9.1. Size:809K  unikc
 p0460ed.pdf pdf_icon

P0460CTF-P

P0460EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

 9.2. Size:445K  unikc
 p0460eis.pdf pdf_icon

P0460CTF-P

P0460EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5

 9.3. Size:441K  unikc
 p0460ad.pdf pdf_icon

P0460CTF-P

P0460ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM20Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P45N03LTFG , P0460AD , P0460AI , P0460AS , P0460AT , P0460ATF , P0460BTF , P0460BTFS , AON6414A , P0460ED , P0460EI , P0460EIS , P0460ETF , P0465AD , P0465ATF , P0465ATFS , P0465CD .

 

 
Back to Top

 


 
.