Справочник MOSFET. P0460ED

 

P0460ED MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P0460ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
   Время нарастания (tr): 46 ns
   Выходная емкость (Cd): 62 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P0460ED

 

 

P0460ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  unikc
p0460ed.pdf

P0460ED P0460ED

P0460EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

 8.1. Size:445K  unikc
p0460eis.pdf

P0460ED P0460ED

P0460EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5

 8.2. Size:470K  unikc
p0460etf.pdf

P0460ED P0460ED

P0460ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-220F 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20

 8.3. Size:794K  unikc
p0460ei.pdf

P0460ED P0460ED

P0460EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top