Справочник MOSFET. P0465CI

 

P0465CI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P0465CI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для P0465CI

 

 

P0465CI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  unikc
 p0465ci.pdf

P0465CI P0465CI

P0465CIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V650V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain Current2TC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 0.1. Size:731K  unikc
 p0465cis.pdf

P0465CI P0465CI

P0465CISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V650V 4ATO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain Current2TC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Cur

 8.1. Size:422K  unikc
 p0465cd.pdf

P0465CI P0465CI

P0465CDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V650V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain Current2TC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:428K  unikc
 p0465cs.pdf

P0465CI P0465CI

P0465CSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6m @VGS = 10V650V 4ATO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:434K  unikc
 p0465ct.pdf

P0465CI P0465CI

P0465CTN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6m @VGS = 10V650V 4ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 8.4. Size:789K  unikc
 p0465ctf-s.pdf

P0465CI P0465CI

P0465CTF/P0465CTFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.7 @VGS = 10V650V 4A100% UIS testedTO-220FTO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top