P0470ATFS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0470ATFS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO220FS
P0470ATFS Datasheet (PDF)
p0470atf-s.pdf
P0470ATF / P0470ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.8 @VGS = 10V700V 4ATO-220F TO-220FS 100% UIS TestedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100
p0470etf.pdf
P0470ETF NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G700V 2.8 4A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUN RATINGS(TA=25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25
p0470ed.pdf
P0470ED N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 700V 2.9 4A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25
p0470jd.pdf
N-Channel Enhancement Mode P0470JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 700V 1.63 4A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918