PD533BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PD533BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 313 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO252
PD533BA Datasheet (PDF)
..1. Size:524K unikc
pd533ba.pdf
pd533ba.pdf
PD533BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID14m @VGS = -10V-40V -51ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40 VVGSGate-Source Voltage 25 VTC= 25 C-51IDContinuous Drain Current2TC= 100 C-40AIDM-150Pulsed Drain C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
