Справочник MOSFET. PD533BA

 

PD533BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD533BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 313 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD533BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD533BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  unikc
 pd533ba.pdf pdf_icon

PD533BA

PD533BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID14m @VGS = -10V-40V -51ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40 VVGSGate-Source Voltage 25 VTC= 25 C-51IDContinuous Drain Current2TC= 100 C-40AIDM-150Pulsed Drain C

 ..2. Size:372K  niko-sem
 pd533ba.pdf pdf_icon

PD533BA

P-Channel Enhancement Mode PD533BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 14m -51A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

Другие MOSFET... PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , 5N65 , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX .

 

 
Back to Top

 


 
.