PD537BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD537BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PD537BA
PD537BA Datasheet (PDF)
pd537ba.pdf

PD537BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = -10V71A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 25 VTC= 25 C71IDContinuous Drain Current2TC= 100 C45AIDM160Pulsed Drain Curre
pd537ba.pdf

P-Channel Enhancement Mode PD537BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -71A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 25
Другие MOSFET... PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , 75N75 , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG .
History: FD120N10ZR | P2610BD | IRF7353D2PBF
History: FD120N10ZR | P2610BD | IRF7353D2PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n