Справочник MOSFET. PD537BA

 

PD537BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD537BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD537BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD537BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:793K  unikc
 pd537ba.pdf pdf_icon

PD537BA

PD537BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = -10V71A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 25 VTC= 25 C71IDContinuous Drain Current2TC= 100 C45AIDM160Pulsed Drain Curre

 ..2. Size:245K  niko-sem
 pd537ba.pdf pdf_icon

PD537BA

P-Channel Enhancement Mode PD537BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -71A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 25

Другие MOSFET... PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , STP80NF70 , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG .

History: SSM3K03FE | AP4575GM-HF | IRFS645 | CTD03N003 | CM8N80F

 

 
Back to Top

 


 
.