Справочник MOSFET. P0850ATF

 

P0850ATF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0850ATF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0850ATF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0850ATF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  unikc
p0850atf.pdfpdf_icon

P0850ATF

P0850ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current

 7.1. Size:391K  unikc
p0850at.pdfpdf_icon

P0850ATF

P0850ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , IRF830 , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD , P0603BDB .

History: VS3625GPMC | MDV1595SURH | VBA3695 | FQN1N50CTA | CP650 | AM8N25-550D | AM2373P

 

 
Back to Top

 


 
.