Справочник MOSFET. P0603BDF

 

P0603BDF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0603BDF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 238 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0603BDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  unikc
 p0603bdf.pdf pdf_icon

P0603BDF

P0603BDFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.8m @VGS = 10V30V 78ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C78IDContinuous Drain Current2TC= 100 C49AIDM140Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 35E

 7.1. Size:450K  unikc
 p0603bd.pdf pdf_icon

P0603BDF

P0603BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 5.8m @VGS = 10V 70ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C70IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C44AIDM180Pulsed Drain Current1

 7.2. Size:479K  unikc
 p0603bdb.pdf pdf_icon

P0603BDF

P0603BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.8m @VGS = 10V30V 72ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C72IDContinuous Drain Current2TC= 100 C46AIDM160Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 50E

 7.3. Size:662K  unikc
 p0603bdg.pdf pdf_icon

P0603BDF

P0603BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.5m @VGS = 10V30V 68ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C68IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C43AIDM180Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK611 | IXFN320N17T2 | NCE70N1K4I | IRFD9024PBF | FQI7N10TU

 

 
Back to Top

 


 
.