P0603BDG - аналоги и даташиты транзистора

 

P0603BDG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0603BDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 531 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P0603BDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0603BDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  unikc
 p0603bdg.pdf pdf_icon

P0603BDG

P0603BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.5m @VGS = 10V30V 68ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C68IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C43AIDM180Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:450K  unikc
 p0603bd.pdf pdf_icon

P0603BDG

P0603BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 5.8m @VGS = 10V 70ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C70IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C44AIDM180Pulsed Drain Current1

 7.2. Size:479K  unikc
 p0603bdb.pdf pdf_icon

P0603BDG

P0603BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.8m @VGS = 10V30V 72ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C72IDContinuous Drain Current2TC= 100 C46AIDM160Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 50E

 7.3. Size:456K  unikc
 p0603bdl.pdf pdf_icon

P0603BDG

P0603BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 6.8m @VGS = 10V 68ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C68IDContinuous Drain Current1TC = 100 C43AIDM160Pulsed Drain Curren

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD , P0603BDB , P0603BDD , P0603BDF , IRF830 , P0603BDL , P0603BEAD , P0603BK , P0603BT , P0603BV , P0604BD , P0610BTF , P062ABD8 .

History: BSZ058N03LS | SI4890BDY-T1 | STF9N80K5 | MCPF07N65 | JMSH1002BE | FQB22P10TMF085

 

 
Back to Top

 


 
.