P0660AS - описание и поиск аналогов

 

P0660AS - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0660AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для P0660AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0660AS технические параметры

 ..1. Size:630K  unikc
 p0660as.pdf pdf_icon

P0660AS

P0660AS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.25 @VGS = 10V 600V 6A TO-263 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.3 A IDM 20 Pu

 8.1. Size:626K  unikc
 p0660at.pdf pdf_icon

P0660AS

P0660AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.25 @VGS = 10V 600V 6A TO-220 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.3 A IDM 20 Pul

 8.2. Size:459K  unikc
 p0660atf.pdf pdf_icon

P0660AS

P0660ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 1.25 @VGS = 10V 6A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.3 A IDM 20 Pulsed Drain Curre

 9.1. Size:744K  niko-sem
 p0660ed.pdf pdf_icon

P0660AS

N-Channel Enhancement Mode P0660ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 600V 1.35 6A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0603BK , P0603BT , P0603BV , P0604BD , P0610BTF , P062ABD8 , P062ABDD , P062ABDF , 60N06 , P0660AT , P0660ATF , P0690ATF , P0690ATFS , P06B03LVG , P06P03LCG , P06P03LCGA , P06P03LDG .

History: APT6038BLL

 

 
Back to Top

 


 
.