P9006EDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P9006EDG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для P9006EDG
P9006EDG Datasheet (PDF)
p9006edg.pdf

P9006EDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID90m @VGS = -10V-60V -15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-10AIDM-50Pulsed Drain C
p9006edg.pdf

P9006EDGwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symb
p9006eda.pdf

P-Channel Enhancement Mode P9006EDA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m -13A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =
mtp9006e3.pdf

Spec. No. : C733E3 Issued Date : 2010.07.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTP9006E3 ID -10A95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 GGate DDrain SSource
Другие MOSFET... P0660ATF , P0690ATF , P0690ATFS , P06B03LVG , P06P03LCG , P06P03LCGA , P06P03LDG , P06P03LVG , IRF540N , P9006EI , P9006EL , P9006ESG , P9006ETF , P9006EVG , P0703BD , P0703ED , P0703EV .
History: CTD04N5P5 | 2SK2044



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet