Справочник MOSFET. P9006EDG

 

P9006EDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P9006EDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P9006EDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P9006EDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  unikc
p9006edg.pdfpdf_icon

P9006EDG

P9006EDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID90m @VGS = -10V-60V -15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-10AIDM-50Pulsed Drain C

 ..2. Size:829K  cn vbsemi
p9006edg.pdfpdf_icon

P9006EDG

P9006EDGwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symb

 7.1. Size:210K  niko-sem
p9006eda.pdfpdf_icon

P9006EDG

P-Channel Enhancement Mode P9006EDA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m -13A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

 8.1. Size:250K  cystek
mtp9006e3.pdfpdf_icon

P9006EDG

Spec. No. : C733E3 Issued Date : 2010.07.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTP9006E3 ID -10A95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 GGate DDrain SSource

Другие MOSFET... P0660ATF , P0690ATF , P0690ATFS , P06B03LVG , P06P03LCG , P06P03LCGA , P06P03LDG , P06P03LVG , IRF540N , P9006EI , P9006EL , P9006ESG , P9006ETF , P9006EVG , P0703BD , P0703ED , P0703EV .

History: CTD04N5P5 | 2SK2044

 

 
Back to Top

 


 
.