Справочник MOSFET. P0765GTF

 

P0765GTF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P0765GTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 87 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для P0765GTF

 

 

P0765GTF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:502K  unikc
p0765gtf-s.pdf

P0765GTF P0765GTF

P0765GTF / P0765GTFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.5 @VGS = 10V650V 7ATO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C7IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4AIDM

 9.1. Size:432K  unikc
p0765atf.pdf

P0765GTF P0765GTF

P0765ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID650V 1.5 @VGS = 10V 7ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C7IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4.2AIDM28Pulsed Drain Curren

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top