Справочник MOSFET. P0770ETF

 

P0770ETF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P0770ETF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для P0770ETF

 

 

P0770ETF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:544K  unikc
 p0770etf-s.pdf

P0770ETF P0770ETF

P0770ETF / P0770ETFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4 @VGS = 10V700V 7ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C7IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4AIDM2

 8.1. Size:766K  unikc
 p0770ei.pdf

P0770ETF P0770ETF

P0770EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.5 @VGS = 10V700V 7ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C7IDContinuous Drain Current2TC= 100 C4.4AIDM20Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:764K  unikc
 p0770eis.pdf

P0770ETF P0770ETF

P0770EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.5 @VGS = 10V700V 7ATO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C7IDContinuous Drain Current2TC= 100 C4.4AIDM20Pulsed Drain Cur

 8.3. Size:193K  niko-sem
 p0770ei.pdf

P0770ETF P0770ETF

N-Channel Enhancement Mode P0770EINIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G700V 1.5 7A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 700 VGate-Source Voltage VGS 30 VTC = 25 C 7

 8.4. Size:744K  niko-sem
 p0770ed.pdf

P0770ETF P0770ETF

N-Channel Enhancement Mode P0770ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G700V 1.5 7A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top