Справочник MOSFET. P0770ETFS

 

P0770ETFS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0770ETFS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220FS
 

 Аналог (замена) для P0770ETFS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0770ETFS Datasheet (PDF)

 6.1. Size:544K  unikc
 p0770etf-s.pdf pdf_icon

P0770ETFS

P0770ETF / P0770ETFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4 @VGS = 10V700V 7ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C7IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4AIDM2

 8.1. Size:766K  unikc
 p0770ei.pdf pdf_icon

P0770ETFS

P0770EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.5 @VGS = 10V700V 7ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C7IDContinuous Drain Current2TC= 100 C4.4AIDM20Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:764K  unikc
 p0770eis.pdf pdf_icon

P0770ETFS

P0770EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.5 @VGS = 10V700V 7ATO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C7IDContinuous Drain Current2TC= 100 C4.4AIDM20Pulsed Drain Cur

 8.3. Size:193K  niko-sem
 p0770ei.pdf pdf_icon

P0770ETFS

N-Channel Enhancement Mode P0770EINIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G700V 1.5 7A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 700 VGate-Source Voltage VGS 30 VTC = 25 C 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0703ED , P0703EV , P0765ATF , P0765GTF , P0765GTFS , P0770EI , P0770EIS , P0770ETF , IRFP250N , P0780ATF , P0780ATFS , P0803BDG , P0803BVG , P0804BD , P0804BD8 , P0804BK , P0804BVG .

History: AO4812 | TPCA8A09-H | AP98T03GP | STL9N60M2 | IPB083N10N3G | TF68N80 | DMG3413L

 

 
Back to Top

 


 
.