P0908AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0908AT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P0908AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0908AT даташит

 ..1. Size:568K  unikc
 p0908at.pdf pdf_icon

P0908AT

P0908AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 80V 64A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 64 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 41 A IDM 160 Pulsed Drain Current1

 0.1. Size:810K  unikc
 p0908atf.pdf pdf_icon

P0908AT

P0908ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 80V 43A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 43 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 27 A IDM 160 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 38

 0.2. Size:172K  niko-sem
 p0908atf.pdf pdf_icon

P0908AT

N-Channel Enhancement Mode P0908ATF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 9m 80V 43A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 43 Continuous Drain Current2 ID T

 8.1. Size:798K  unikc
 p0908ad.pdf pdf_icon

P0908AT

P0908AD N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 80V 69A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 69 ID Continuous Drain Current3 TC= 100 C 44 A IDM 160 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Cu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0903BK, P0903BKA, P0903BKB, P0903BT, P0903BTG, P0903BV, P0903BVA, P0908AD, IRFP260, P0908ATF, P0910AS, P0910ATF, P0910ATG, P0920AD, P0920AT, P0920ATF, P0920BD