Справочник MOSFET. P0920AD

 

P0920AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0920AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0920AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  unikc
p0920ad.pdfpdf_icon

P0920AD

P0920ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

 8.1. Size:334K  unikc
p0920at.pdfpdf_icon

P0920AD

P0920ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

 8.2. Size:460K  unikc
p0920atf.pdfpdf_icon

P0920AD

P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 200VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM22Pulsed Drain Curr

 9.1. Size:506K  unikc
p0920bd.pdfpdf_icon

P0920AD

P0920BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM31Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 9EAS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SSB60R105SFD2 | BF964S | SUD70090E | BSC032N03SG | APT20M22B2VFR | IRF7304PBF | AP9579GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.