P0920BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P0920BD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 99 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
P0920BD Datasheet (PDF)
p0920bd.pdf

P0920BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM31Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 9EAS
p0920at.pdf

P0920ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E
p0920ad.pdf

P0920ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E
p0920atf.pdf

P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 200VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM22Pulsed Drain Curr
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: MCQ4559 | 2SK3430-ZJ | UTT4850G-S08-R | R6535KNZ1 | FDMS86520L | NCE2008N | VSE002N03MS-G
History: MCQ4559 | 2SK3430-ZJ | UTT4850G-S08-R | R6535KNZ1 | FDMS86520L | NCE2008N | VSE002N03MS-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718